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电子元器件详细资料 » IC[28040] » SI2335DS-T1-GE3
型号:SI2335DS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C51 毫欧 @ 4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs15nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1225pF @ 6V
功率_最大750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市创芯联盈电子有限公司陈泽强0755-88291559
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
深圳市科雨电子有限公司汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号)
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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